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元件参数资料
>
参数目录38657
> IRF7701TR MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
型号:
IRF7701TR
RoHS:
否
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF7701TR PDF
标准包装
4,000
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫欧 @ 10A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
100nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5050pF @ 10V
功率 - 最大
1.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装
8-TSSOP
包装
带卷 (TR)
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